Денис Мантуров посетил инновационную площадку «МИЭТ»

02.10.2023 60

Во время визита Заместителя Председателя Правительства Российской Федерации – Министра промышленности и торговли России Дениса Мантурова на инновационной площадке «МИЭТ» были представлены ведущие научные и технологические площадки института

Вице-премьер посетил университет, главную кузницу страны в подготовке специалистов в области микроэлектроники. Национальный исследовательский университет «МИЭТ» – центр образования, науки и инноваций в области высоких технологий, входит в топ-10 сильнейших университетов России в предметном рейтинге RAEX. Как инициатор и один из ключевых участников федерального проекта «Подготовка кадров и научного фундамента для электронной промышленности» университет нацелен на вовлечение студентов и специалистов в отрасль, создание технологий и изделий микроэлектроники, развитие научно-технологической инфраструктуры.

Важно, что на площадке «МИЭТ» реализуется ряд российско-белорусских проектов. С начала 2024 года стартует процесс испытаний и отработка технологий оборудования на специализированной площадке инженерно-исследовательского центра, представленного АО «ЗНТЦ». Предполагается, что по такой модели, позволяющей существенно сократить путь отечественного оборудования от разработки до производства, будет работать в целом программа электронного машиностроения.

Денис Мантуров совместно с помощником Президента России Андреем Фурсенко и президентом Российской академии наук Геннадием Красниковым осмотрели сборочные производства современных микросхем для различных отраслей радиоэлектроники. Высокотехнологичный процесс сборочного производства АО «ЗНТЦ» позволяет собирать такие изделия, как микроконтроллеры для автомобильной промышленности и гражданской электроники, микросхемы для медицинской промышленности и многое другое. 

Делегации продемонстрировали результаты реализации программы электронного машиностроения, в частности, введённое в действующее производство оборудование для металлизации микросхем на основе GaNSi (нитрид галлия на кремнии), разработанное зеленоградскими компаниями (АО «НИИТМ», АО «ЭСТО») в кооперации с профильными предприятиями и университетами.

Нитрид-галлиевая технология – одно из наиболее перспективных и быстроразвивающихся направлений в силовой и СВЧ-электронике в мире. Ключевыми устройствами, в которых применяются СВЧ и силовые транзисторы, изготовленные на основе GaNSi-технологии, являются: телекоммуникационное оборудование 4G, 5G, а также интернет вещей, оборудование радиоспектроскопии, Wi-Fi-оборудование, медицинское рентгенологическое оборудование, метеорадары и др. 

 

Источник: Пресс-служба Правительства России

Назад к списку


Добавить комментарий
Прежде чем добавлять комментарий, ознакомьтесь с правилами публикации
Имя:*
E-mail:
Должность:
Организация:
Комментарий:*
Введите код, который видите на картинке:*