ИСВЧПЭ РАН отметил 15-летие со дня создания

21.04.2017 61

Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук в 2002 года по инициативе члена-корреспондента РАН Владимира Григорьевича Мокерова, который и стал первым директором института. С самого начала существования института его работу поддержали ведущие ученые страны – Лауреат Нобелевской премии академик Жорес Иванович Алферов, академики Юрий Васильевич Гуляев, Александр Леонидович Асеев, Юрас Карлович Пожела.

В. Г. Мокеров начал работу по формированию научного коллектива Института еще 30 лет назад: в 1983 году – в составе отдела НИИ молекулярной электроники и завода «Микрон» (г. Зеленоград), а с 1989-го – в составе Центра института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН.

Деятельность Института связана с проведением фундаментальных и поисковых исследований, прикладных разработок в области сверхвысокочастотной (СВЧ) и крайне высокочастотной (КВЧ) полупроводниковой электроники.

ИСВЧПЭ РАН является лидером в стране в сфере разработки технологий изготовления изделий СВЧ электроники на основе нитридных гетероструктур. Развитие приборов на нитриде галлия является приоритетным направлением СВЧ электроники в России и в мире.

Создан дизайн-центр моделирования, проектирования и технологической разработки наногетероструктурных СВЧ транзисторов и СВЧ монолитных интегральных схем под руководством главного конструктора – заместителя директора по НИОКР Ю.В. Федорова. 

Результаты исследований по созданию твердотельных терагерцовых устройств признаны научным сообществом России. 
 
Федеральное агентство научных организаций поздравляет коллектив ИСВЧПЭ РАН с 15-летием и желает крепкого здоровья, больших творческих успехов в решении научных задач в сфере СВЧ электроники!
 
 
Назад к списку


Добавить комментарий
Прежде чем добавлять комментарий, ознакомьтесь с правилами публикации
Имя:*
E-mail:
Должность:
Организация:
Комментарий:*
Введите код, который видите на картинке:*