ИСВЧПЭ РАН отметил 15-летие со дня создания
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук в 2002 года по инициативе члена-корреспондента РАН Владимира Григорьевича Мокерова, который и стал первым директором института. С самого начала существования института его работу поддержали ведущие ученые страны – Лауреат Нобелевской премии академик Жорес Иванович Алферов, академики Юрий Васильевич Гуляев, Александр Леонидович Асеев, Юрас Карлович Пожела.
В. Г. Мокеров начал работу по формированию научного коллектива Института еще 30 лет назад: в 1983 году – в составе отдела НИИ молекулярной электроники и завода «Микрон» (г. Зеленоград), а с 1989-го – в составе Центра института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН.
Деятельность Института связана с проведением фундаментальных и поисковых исследований, прикладных разработок в области сверхвысокочастотной (СВЧ) и крайне высокочастотной (КВЧ) полупроводниковой электроники.
ИСВЧПЭ РАН является лидером в стране в сфере разработки технологий изготовления изделий СВЧ электроники на основе нитридных гетероструктур. Развитие приборов на нитриде галлия является приоритетным направлением СВЧ электроники в России и в мире.
Создан дизайн-центр моделирования, проектирования и технологической разработки наногетероструктурных СВЧ транзисторов и СВЧ монолитных интегральных схем под руководством главного конструктора – заместителя директора по НИОКР Ю.В. Федорова.
